国产芯片开辟新篇章,成熟工艺迎头赶上美国芯片,光刻机可能不再是阻碍
美国芯片能持续保持领先优势,主要就是苹果和Intel两家芯片企业的CPU性能分别代表着ARM和X86架构的领先性能,这让国产芯片苦苦追赶,然而日前国产芯片取得的重大突破却给国产芯片指明了新道路。
龙芯即将推出的龙芯3A6000采用完全自研架构,已有测试产品亮相,在性能方面得到了大幅度提升,性能与10代酷睿相当,这是国产自研芯片架构最好的成绩,而且分析机构指出龙芯3A6000的另一大意义则在于它采用了国产12纳米工艺却能达到比肩Intel的高度。
分析机构以性能测试软件SPEC2006作为评测指标,在每GHz性能方面龙芯3A6000甚至已追平Intel最新款的13代酷睿i7,要指导13代酷睿i7可是采用了Intel最新的7纳米工艺,Intel的7纳米工艺相当于台积电的5纳米工艺,对比之下龙芯3A6000的12纳米工艺落后太多了,却能取得如此成绩,无疑是巨大的进步。
其实芯片的性能提升主要有两条道路,一条是核心架构升级,通过技术的升级提升芯片架构的效率从而获得更强的性能;另一条道路则是采用先进工艺,当年Intel击败AMD就是两条路一起走,每两年分别升级一次核心架构和芯片制造工艺,这被称为tick-tock战术,最终Intel拖垮了AMD。
近几年来AMD再度崛起,则主要依靠核心架构升级,依靠它多年的苦心研发出Zen架构,由此大幅提升了CPU的性能,达到反超Intel的目的,证明了通过核心架构的升级可以取得更强的性能。
除了AMD和Intel之间的竞争之外,苹果也是芯片架构设计的佼佼者。苹果的A系处理器没有采用ARM的公版核心,而是获取ARM的授权自行设计芯片核心架构,由此苹果的A系处理器一直领先安卓处理器两年,苹果设计的M系处理器更是打破了ARM的性能桎梏,M系处理器已与Intel的11代酷睿相当。
上述种种都说明了无论是复杂指令集的X86,还是精简指令集的ARM都可以通过核心架构的研发取得性能的提升,中国的龙芯正是通过核心架构的研发取得了更强的性能,龙芯3A6000为全球第三种芯片架构并且在性能方面达到了Intel的水平,甚至在每GHz性能方面更追平Intel最新款的13代酷睿i7,这是国产芯片的最高水平。
对于国产芯片来说,如今芯片制造一直受困于光刻机,导致难以突破7纳米工艺,在较长的时间之内估计中国都很难获得先进的EUV光刻机,而龙芯采用12纳米工艺却能取得优异的性能,无疑为国产芯片指明了道路。
国产芯片在当下仍然难以突破7纳米工艺的情况下,可以通过研发先进的芯片架构获得更强的性能,不仅是复杂指令集的自研芯片龙芯loongarch,获得国产芯片推崇的精简指令集RISC-V也同样可以通过核心架构研发提供更强的性能,满足手机芯片行业对性能的需求。
总的来说,龙芯3A6000以12纳米工艺获得强劲的性能,具有重要意义,代表着国产芯片的研发已达到很高的水平,将鼓舞国产芯片基于现有的芯片制造工艺,强化芯片架构研发,以加快国产芯片的发展,打破当前的僵局
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